Edgeless silicon pad detectors - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Communication Dans Un Congrès Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment Année : 2006

Edgeless silicon pad detectors

B. Perea Solano
  • Fonction : Auteur
M.C. Abreu
  • Fonction : Auteur
V. Avati
  • Fonction : Auteur
T. Boccali
V. Boccone
  • Fonction : Auteur
M. Bozzo
  • Fonction : Auteur
R. Capra
  • Fonction : Auteur
L. Casagrande
  • Fonction : Auteur
W. M. Chen
  • Fonction : Auteur
K. Eggert
  • Fonction : Auteur
E. Heijne
  • Fonction : Auteur
S. Klauke
  • Fonction : Auteur
Zhenyu Li
  • Fonction : Auteur
T. Mäki
  • Fonction : Auteur
L. Mirabito
  • Fonction : Auteur
A. Morelli
  • Fonction : Auteur
T.O. Niinikoski
  • Fonction : Auteur
F. Oljemark
  • Fonction : Auteur
V.G. Palmieri
  • Fonction : Auteur
P. Rato Mendes
  • Fonction : Auteur
S. Rodrigues
  • Fonction : Auteur
P. Siegrist
  • Fonction : Auteur
L. Silvestris
  • Fonction : Auteur
P. Sousa
  • Fonction : Auteur
S. Tapproggeg
  • Fonction : Auteur
B. Trocmé

Résumé

We report measurements in a high-energy pion beam of the sensitivity of the edge region in “edgeless” planar silicon pad diode detectors diced through their contact implants. A large surface current on such an edge prevents the normal reverse biasing of the device, but the current can be sufficiently reduced by the use of a suitable cutting method, followed by edge treatment, and by operating the detector at low temperature. The depth of the dead layer at the diced edge is measured to be (12.5±8stat..±6syst.) μm.

Dates et versions

in2p3-00071059 , version 1 (23-05-2006)

Identifiants

Citer

B. Perea Solano, M.C. Abreu, V. Avati, T. Boccali, V. Boccone, et al.. Edgeless silicon pad detectors. 13th International Workshop on Vertex Detectors - VERTEX 2004, Sep 2004, Como, Italy. pp.135-138, ⟨10.1016/j.nima.2005.11.244⟩. ⟨in2p3-00071059⟩
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