Article Dans Une Revue
Applied physics. A, Materials science & processing
Année : 1987
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00019463
Soumis le : jeudi 31 mai 2001-08:10:44
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00019463 , version 1
Citer
W.O. Adekoya, J.C. Muller, P. Siffert. Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon. Applied physics. A, Materials science & processing, 1987, 42, pp.227-232. ⟨in2p3-00019463⟩
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