Article Dans Une Revue
Radiation Effects and Defects in Solids
Année : 1989
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00019456
Soumis le : mercredi 30 mai 2001-14:34:26
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00019456 , version 1
Citer
J. Krynicki, M. Toulemonde, J.C. Muller, P. Siffert. Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions. Radiation Effects and Defects in Solids, 1989, 110, pp.203-205. ⟨in2p3-00019456⟩
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