Article Dans Une Revue Radiation Effects and Defects in Solids Année : 1989

Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions

J. Krynicki
  • Fonction : Auteur
M. Toulemonde
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019456 , version 1 (30-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019456 , version 1

Citer

J. Krynicki, M. Toulemonde, J.C. Muller, P. Siffert. Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions. Radiation Effects and Defects in Solids, 1989, 110, pp.203-205. ⟨in2p3-00019456⟩
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