Inhomogeneous defect activation by rapid thermal processes in silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1989

Inhomogeneous defect activation by rapid thermal processes in silicon

V. Thong-Quat
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
W. Eichhammer
  • Fonction : Auteur
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00019454

Soumis le : mercredi 30 mai 2001-13:55:39

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019454 , version 1 (30-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019454 , version 1

Citer

V. Thong-Quat, W. Eichhammer, P. Siffert. Inhomogeneous defect activation by rapid thermal processes in silicon. Applied Physics Letters, 1989, 54, pp.1235-1237. ⟨in2p3-00019454⟩

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