Article Dans Une Revue
Applied Surface Science
Année : 1990
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https://in2p3.hal.science/in2p3-00019447
Soumis le : mercredi 30 mai 2001-11:05:37
Dernière modification le : mercredi 18 février 2026-12:28:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00019447 , version 1
Citer
B. Hartiti, A. Slaoui, J.C. Muller, P. Siffert. Annealing kinetics during rapid thermal processing of excimer laser-induced defects in virgin silicon. Applied Surface Science, 1990, 46, pp.371-374. ⟨in2p3-00019447⟩
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