Optimisation des traitements de GaAs et GaAs/Si par recuit thermique rapide a base de lampes halogenes - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Thèse Année : 1989

Optimisation des traitements de GaAs et GaAs/Si par recuit thermique rapide a base de lampes halogenes

H. Blanck
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

Domaines

Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://in2p3.hal.science/in2p3-00019115

Soumis le : vendredi 23 février 2001-14:26:57

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019115 , version 1 (23-02-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019115 , version 1

Citer

H. Blanck. Optimisation des traitements de GaAs et GaAs/Si par recuit thermique rapide a base de lampes halogenes. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1989. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00019115⟩

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