Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1978
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00018026
Soumis le : mercredi 8 novembre 2000-09:01:25
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00018026 , version 1
Citer
J.P. Ponpon, P. Siffert. Mechanism of formation of Schottky diodes. Journal of Applied Physics, 1978, 49, pp.6004. ⟨in2p3-00018026⟩
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