Interaction between arsenic hydrogen and silicon matrix in doping of sputtered amorphous hydrogenated silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1981

Interaction between arsenic hydrogen and silicon matrix in doping of sputtered amorphous hydrogenated silicon

M. Toulemonde
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Deneuville
  • Fonction : Auteur
J.C. Bruyere
  • Fonction : Auteur

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://in2p3.hal.science/in2p3-00017881

Soumis le : lundi 23 octobre 2000-07:44:07

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017881 , version 1 (23-10-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017881 , version 1

Citer

M. Toulemonde, P. Siffert, A. Deneuville, J.C. Bruyere. Interaction between arsenic hydrogen and silicon matrix in doping of sputtered amorphous hydrogenated silicon. Applied Physics Letters, 1981, 39, pp.152-154. ⟨in2p3-00017881⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

IN2P3 CNRS CGE COMUE-NORMANDIE SITE-ALSACE ENSICAEN UNICAEN CIMAP MADIR-CIMAP
1 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More