Optical characteristics of thin silicon films deposited by CVD and annealed by pulsed laser - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Radiation Effects Année : 1982

Optical characteristics of thin silicon films deposited by CVD and annealed by pulsed laser

M.O. Lampert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
J.P. Ponpon
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00017865

Soumis le : mercredi 18 octobre 2000-08:56:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017865 , version 1 (18-10-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017865 , version 1

Citer

M.O. Lampert, J.C. Muller, J.P. Ponpon, P. Siffert. Optical characteristics of thin silicon films deposited by CVD and annealed by pulsed laser. Radiation Effects, 1982, 63, pp.169. ⟨in2p3-00017865⟩

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