Behaviour of implanted arsenic during rapid thermal annealing of Ti on Si - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 1987

Behaviour of implanted arsenic during rapid thermal annealing of Ti on Si

J.P. Ponpon
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Saulnier
  • Fonction : Auteur
R. Stuck
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00017603

Soumis le : jeudi 28 septembre 2000-10:21:04

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00017603 , version 1 (28-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017603 , version 1

Citer

J.P. Ponpon, A. Saulnier, R. Stuck. Behaviour of implanted arsenic during rapid thermal annealing of Ti on Si. Applied physics. A, Materials science & processing, 1987, 44, pp.227. ⟨in2p3-00017603⟩

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