Oxygen behaviour during titanium silicide formation by rapid thermal annealing - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1987

Oxygen behaviour during titanium silicide formation by rapid thermal annealing

R. Pantel
  • Fonction : Auteur
D. Levy
  • Fonction : Auteur
D. Nicolas
  • Fonction : Auteur
J.P. Ponpon
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00017601

Soumis le : jeudi 28 septembre 2000-10:07:45

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017601 , version 1 (28-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017601 , version 1

Citer

R. Pantel, D. Levy, D. Nicolas, J.P. Ponpon. Oxygen behaviour during titanium silicide formation by rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 1987, 62, pp.4319. ⟨in2p3-00017601⟩

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