Electrical Characteristics of Laser Annealed Silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 1987

Electrical Characteristics of Laser Annealed Silicon

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017599 , version 1 (28-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017599 , version 1

Citer

J. Martinez, E. Fogarassy, A. Mesli, P. Siffert. Electrical Characteristics of Laser Annealed Silicon. Applied physics. A, Materials science & processing, 1987, 42, pp.273. ⟨in2p3-00017599⟩
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