Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1998

16 MeV-electron-induced defects in iron-doped indium phosphide

M. Kamta
  • Fonction : Auteur
C. Schwab
  • Fonction : Auteur
S. Domngang
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016662 , version 1 (31-08-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016662 , version 1

Citer

M. Kamta, C. Schwab, S. Domngang, J.P. Engel. 16 MeV-electron-induced defects in iron-doped indium phosphide. Journal of Applied Physics, 1998, 84, pp.4273-4280. ⟨in2p3-00016662⟩
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