Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1998
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00016662
Soumis le : jeudi 31 août 2000-10:17:51
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016662 , version 1
Citer
M. Kamta, C. Schwab, S. Domngang, J.P. Engel. 16 MeV-electron-induced defects in iron-doped indium phosphide. Journal of Applied Physics, 1998, 84, pp.4273-4280. ⟨in2p3-00016662⟩
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