Boron neutralization and hydrogen diffusion in silicon subjected to low-energy hydrogen implantation - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 1989

Boron neutralization and hydrogen diffusion in silicon subjected to low-energy hydrogen implantation

T. Zundel
  • Fonction : Auteur
A. Mesli
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00016180

Soumis le : lundi 3 juillet 2000-08:41:19

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00016180 , version 1 (03-07-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016180 , version 1

Citer

T. Zundel, A. Mesli, J.C. Muller, P. Siffert. Boron neutralization and hydrogen diffusion in silicon subjected to low-energy hydrogen implantation. Applied physics. A, Materials science & processing, 1989, 48, pp.31. ⟨in2p3-00016180⟩

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