Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1990
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https://in2p3.hal.science/in2p3-00016161
Soumis le : jeudi 29 juin 2000-08:24:18
Dernière modification le : mercredi 18 février 2026-12:28:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016161 , version 1
Citer
A. Slaoui, F. Foulon, P. Siffert. Excimer laser induced doping of phosphorus into silicon. Journal of Applied Physics, 1990, 67, pp.6197. ⟨in2p3-00016161⟩
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