Article Dans Une Revue
Applied Surface Science
Année : 1990
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https://in2p3.hal.science/in2p3-00016045
Soumis le : mercredi 7 juin 2000-08:41:48
Dernière modification le : mercredi 18 février 2026-12:28:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016045 , version 1
Citer
E. Fogarassy, A. Slaoui, C. Fuchs, J.P. Stoquert. Deposition of SiO$_2$ by reactive excimer laser ablation from a SiO target. Applied Surface Science, 1990, 46, pp.195. ⟨in2p3-00016045⟩
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