Damage created in silicon by 1 MeV O$^+$ ions as a function of beam power - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Communication Dans Un Congrès Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 1992

Damage created in silicon by 1 MeV O$^+$ ions as a function of beam power

A. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
J.J. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00015889

Soumis le : mardi 30 mai 2000-15:12:51

Dernière modification le : lundi 23 septembre 2024-09:22:24

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00015889 , version 1 (30-05-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00015889 , version 1

Citer

A. Grob, J.J. Grob, P. Siffert. Damage created in silicon by 1 MeV O$^+$ ions as a function of beam power. Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-Mrs) Symposium C on High Energy Ion Implantation, May 1991, Strasbourg, France. pp.309-313. ⟨in2p3-00015889⟩

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