Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 1994

Study of proton radiation effects on analog IC designed for high energy physics in a BiCMOS-JFET radhard SOI technology

M. Dentan
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N. Fourches
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J.P. Blanc
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O. Flament
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Dates et versions

in2p3-00013842 , version 1 (18-07-2003)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00013842 , version 1

Citer

L. Blanquart, P. Delpierre, M.C. Habrard, A. Mekkaoui, T. Mouthuy, et al.. Study of proton radiation effects on analog IC designed for high energy physics in a BiCMOS-JFET radhard SOI technology. IEEE Transactions on Nuclear Science, 1994, 41, pp.2525-2529. ⟨in2p3-00013842⟩
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