Crystalline effect on the lateral spread of implanted ions - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Communication Dans Un Congrès Année : 1998

Crystalline effect on the lateral spread of implanted ions

S.T. Nakagawa
  • Fonction : Auteur
Y. Hada
  • Fonction : Auteur
L. Thome
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00013379

Soumis le : mercredi 29 mars 2000-16:59:56

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00013379 , version 1 (29-03-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00013379 , version 1

Citer

S.T. Nakagawa, Y. Hada, L. Thome. Crystalline effect on the lateral spread of implanted ions. 1998 International Conference on Ion Implantation Technology, Jun 1998, Kyoto, Japan. pp.767-770. ⟨in2p3-00013379⟩

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