Amorphization of Pd-Si at 300K - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Radiation Effects Année : 1984

Amorphization of Pd-Si at 300K

Domaines

Chimie-Physique [physics.chem-ph]

Jocelyne Lorgeril  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://in2p3.hal.science/in2p3-00013232

Soumis le : lundi 17 mai 1999-15:21:27

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00013232 , version 1 (17-05-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00013232 , version 1

Citer

Jun Fan Xiang, A. Traverse, A. Thome, A. Benyagoub, J. Chaumont, et al.. Amorphization of Pd-Si at 300K. Radiation Effects, 1984, 81, pp.101-105. ⟨in2p3-00013232⟩

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