Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Thèse Année : 1995

Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC

C. Arrighi
  • Fonction : Auteur
Centre de Physique des Particules de Marseille

Domaines

Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00009872

Soumis le : mardi 6 mars 2001-10:46:04

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00009872 , version 1 (06-03-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00009872 , version 1

Citer

C. Arrighi. Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 1995. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00009872⟩

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