Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Theses Year : 1995

Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC

C. Arrighi
  • Function : Author
Centre de Physique des Particules de Marseille

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Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00009872

Submitted on : Tuesday, March 6, 2001-10:46:04 AM

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in2p3-00009872 , version 1 (06-03-2001)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00009872 , version 1

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C. Arrighi. Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 1995. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨in2p3-00009872⟩

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IN2P3 CPPM CNRS UNIV-AMU
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