Article Dans Une Revue
Physica Status Solidi A (applications and materials science)
Année : 1985
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https://in2p3.hal.science/in2p3-00006494
Soumis le : mardi 10 octobre 2000-16:38:10
Dernière modification le : mercredi 18 février 2026-12:28:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00006494 , version 1
Citer
A. Slaoui, P. Siffert. Determination of the electron effective mass and relaxation time in heavily doped silicon. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 1985, 89, pp.617. ⟨in2p3-00006494⟩
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