Passivation of laser induced defects in silicon by low energy hydrogen ion implantation - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 1986

Passivation of laser induced defects in silicon by low energy hydrogen ion implantation

A. Slaoui
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Barhdadi
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00006155

Soumis le : vendredi 22 septembre 2000-09:15:59

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00006155 , version 1 (22-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00006155 , version 1

Citer

A. Slaoui, A. Barhdadi, J.C. Muller, P. Siffert. Passivation of laser induced defects in silicon by low energy hydrogen ion implantation. Applied physics. A, Materials science & processing, 1986, 39, pp.3184-3188. ⟨in2p3-00006155⟩

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