Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 1986
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00006151
Soumis le : vendredi 22 septembre 2000-08:56:25
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00006151 , version 1
Citer
W.O. Adekoya, J.C. Muller, P. Siffert. Annealing kinetics during rapid and classical thermal processing of a laser induced defect in n-type silicon. Applied Physics Letters, 1986, 49, pp.1429-1432. ⟨in2p3-00006151⟩
Collections
4
Consultations
0
Téléchargements