Local structures of Ga atoms in amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon before and after synchrotron X-ray irradiation - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1999

Local structures of Ga atoms in amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon before and after synchrotron X-ray irradiation

Yu. Kin-Man
  • Fonction : Auteur
W. Walukiewicz
  • Fonction : Auteur
S. Muto
  • Fonction : Auteur
H.C. Jin
  • Fonction : Auteur
J.R. Abelson
  • Fonction : Auteur
C. Clerc
  • Fonction : Auteur
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
C.J. Glover
  • Fonction : Auteur
M.C. Ridgway
  • Fonction : Auteur

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00003777

Soumis le : mercredi 12 janvier 2000-15:40:49

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00003777 , version 1 (12-01-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00003777 , version 1

Citer

Yu. Kin-Man, W. Walukiewicz, S. Muto, H.C. Jin, J.R. Abelson, et al.. Local structures of Ga atoms in amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon before and after synchrotron X-ray irradiation. Applied Physics Letters, 1999, 75, pp.3282-3284. ⟨in2p3-00003777⟩

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