Modification of SiO2 by Kr and Xe implantations - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Modification of SiO2 by Kr and Xe implantations

E. Oliviero
CSNSM PS2, CSNSM SEMI
M. O. Ruault
  • Fonction : Auteur
CSNSM PS2
O. Kaïtasov
  • Fonction : Auteur
CSNSM PS2, CSNSM SEMI
F. Fortuna
CSNSM PS2, CSNSM SEMI
CV
E. Ntsoenzok
  • Fonction : Auteur
Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Christine Hadrossek  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://in2p3.hal.science/in2p3-00724656

Soumis le : mercredi 22 août 2012-11:05:54

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00724656 , version 1 (22-08-2012)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00724656 , version 1

Citer

E. Oliviero, M. O. Ruault, O. Kaïtasov, F. Fortuna, E. Ntsoenzok. Modification of SiO2 by Kr and Xe implantations. First Workshop on the Use of in situ TEM / Ion Accelerator Techniques in the Study of Radiation Damage in Solids, Jun 2008, Stanford, United States. pp.74-80. ⟨in2p3-00724656⟩

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