Nanometric Bubble Formation in SiO2 by Ion Implantation: Influence of the Substrate - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Nanometric Bubble Formation in SiO2 by Ion Implantation: Influence of the Substrate

E. Oliviero
B. Décamps
M.-O. Ruault
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00703743 , version 1 (04-06-2012)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00703743 , version 1

Citer

E. Oliviero, B. Décamps, M.-O. Ruault. Nanometric Bubble Formation in SiO2 by Ion Implantation: Influence of the Substrate. Indo-French conference on Nano-Structuring by Ion Beams, 2009, Bhubaneswar, India. pp.173-180. ⟨in2p3-00703743⟩
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