Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2010
Virginie Mas : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00585159
Soumis le : lundi 11 avril 2011-22:52:33
Dernière modification le : mardi 29 octobre 2024-11:29:43
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00585159 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030
Citer
F. Natali, N. Plank, J. Galipaud, B.J. Ruck, H. J. Trodahl, et al.. Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer. Journal of Crystal Growth, 2010, 312, pp.3583-3587. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030⟩. ⟨in2p3-00585159⟩
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