Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2010

Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer

F. Natali
  • Fonction : Auteur
N. Plank
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J. Galipaud
  • Fonction : Auteur
B.J. Ruck
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H. J. Trodahl
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F. Semond
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  • Fonction : Auteur

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00585159

Soumis le : lundi 11 avril 2011-22:52:33

Dernière modification le : mardi 29 octobre 2024-11:29:43

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Dates et versions

in2p3-00585159 , version 1 (11-04-2011)

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Citer

F. Natali, N. Plank, J. Galipaud, B.J. Ruck, H. J. Trodahl, et al.. Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer. Journal of Crystal Growth, 2010, 312, pp.3583-3587. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030⟩. ⟨in2p3-00585159⟩

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