Electrical effects of surface and deep states induced in n-type silicon by rapid thermal processing - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1987

Electrical effects of surface and deep states induced in n-type silicon by rapid thermal processing

W.-O. Adekoya
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00019460

Soumis le : jeudi 31 mai 2001-08:00:43

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00019460 , version 1 (31-05-2001)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019460 , version 1

Citer

W.-O. Adekoya, J.C. Muller, P. Siffert. Electrical effects of surface and deep states induced in n-type silicon by rapid thermal processing. Applied Physics Letters, 1987, 50, pp.1240-1242. ⟨in2p3-00019460⟩

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