Article Dans Une Revue
Radiation Effects
Année : 1971
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00018479
Soumis le : vendredi 22 décembre 2000-09:45:54
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00018479 , version 1
Citer
P. Sebillotte, M. Badanoiu, V.B. Ndocko-Ndongue, P. Siffert. Low energy boron implantation profiles in silicon from junction depth measurements. Radiation Effects, 1971, 7, pp.7-15. ⟨in2p3-00018479⟩
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