Article Dans Une Revue
Nuclear Instruments and Methods
Année : 1979
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00017970
Soumis le : vendredi 3 novembre 2000-08:13:20
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00017970 , version 1
Citer
M. Hage-Ali, P. Siffert. Compound semiconductors surface characterization by high resolution Rutherford backscattering. Nuclear Instruments and Methods, 1979, 166, pp.411-418. ⟨in2p3-00017970⟩
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