Radiation from 170 GeV electrons and positrons traversing thin Si and Ge crystals near the $<110>$ axis - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Physics Letters B Année : 1988

Radiation from 170 GeV electrons and positrons traversing thin Si and Ge crystals near the $<110>$ axis

E. Bak
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D. Barderis
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T.J. Brodbeck
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A.T. Doyle
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R.J. Ellison
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K. Elserner
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R.E. Hugues-Jones
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S.D. Kolya
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D. Mercer
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S.P. Moller
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D. Newton
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P.J. Ottewell
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J.B.B. Petersen
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A.H. Sorensen
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R.J. Thompson
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E. Uggerhoj
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G.W. Wilson
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017464 , version 1 (26-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017464 , version 1

Citer

E. Bak, D. Barderis, T.J. Brodbeck, A.T. Doyle, R.J. Ellison, et al.. Radiation from 170 GeV electrons and positrons traversing thin Si and Ge crystals near the $<110>$ axis. Physics Letters B, 1988, 213, pp.242. ⟨in2p3-00017464⟩
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