Excitation of deep lying hole states in $^{11}$C, $^{15}$O, $^{27}$Si and $^{57}$Ni with the ($^3$He, $\alpha$) reaction at 216 MeV - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Physical Review C Année : 1975

Excitation of deep lying hole states in $^{11}$C, $^{15}$O, $^{27}$Si and $^{57}$Ni with the ($^3$He, $\alpha$) reaction at 216 MeV

Domaines

Physique Nucléaire Expérimentale [nucl-ex]

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00017047

Soumis le : jeudi 14 septembre 2000-11:23:38

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00017047 , version 1 (14-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017047 , version 1

Citer

E. Gerlic, H. Langevin-Joliot, P. Roos, J. van de Wiele, J.P. Didelez, et al.. Excitation of deep lying hole states in $^{11}$C, $^{15}$O, $^{27}$Si and $^{57}$Ni with the ($^3$He, $\alpha$) reaction at 216 MeV. Physical Review C, 1975, 12, pp.2106-2110. ⟨in2p3-00017047⟩

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