Variation of yield with thickness in sims and pdms: measurements of secondary ion emission from organized molecular films - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 1988

Variation of yield with thickness in sims and pdms: measurements of secondary ion emission from organized molecular films

G. Bolbach
  • Fonction : Auteur
R. Beavis
  • Fonction : Auteur
S. Della Negra
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
C. Deprun
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
W. Ens
  • Fonction : Auteur
Y. Lebeyec
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
D.E. Main
  • Fonction : Auteur
B. Schueler
  • Fonction : Auteur
K.G. Standing
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique Nucléaire Expérimentale [nucl-ex]

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https://in2p3.hal.science/in2p3-00016565

Soumis le : vendredi 25 août 2000-15:05:56

Dernière modification le : lundi 23 septembre 2024-09:22:24

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00016565 , version 1 (25-08-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00016565 , version 1

Citer

G. Bolbach, R. Beavis, S. Della Negra, C. Deprun, W. Ens, et al.. Variation of yield with thickness in sims and pdms: measurements of secondary ion emission from organized molecular films. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 1988, 30, pp.74-82. ⟨in2p3-00016565⟩

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