Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 1989
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00016214
Soumis le : mardi 4 juillet 2000-10:32:11
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016214 , version 1
Citer
A. Goltzene, B. Meyer, C. Schwab. Persistent photquenching and anion antisite defects in neutron-irradiated GaAs. Applied Physics Letters, 1989, 54, pp.907. ⟨in2p3-00016214⟩
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