Journal Articles Annales de Physique Year : 1992

Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium

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Dates and versions

in2p3-00016014 , version 1 (06-06-2000)

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00016014 , version 1

Cite

C. Fuchs, R. Henck, E. Fogarassy. Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium. Annales de Physique, 1992, 17C1, pp.59-60. ⟨in2p3-00016014⟩
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