Effect of Ge-dots buried below the interface on the transport properties of Schottky diodes - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules
Communication Dans Un Congrès Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures Année : 2003

Effect of Ge-dots buried below the interface on the transport properties of Schottky diodes

A. Hattab
  • Fonction : Auteur
F. Dufaye
  • Fonction : Auteur
F. Meyer
  • Fonction : Auteur
Yam Vy
  • Fonction : Auteur
Thanh Vinh Le
  • Fonction : Auteur
D. Bouchier
  • Fonction : Auteur
R. Meyer
  • Fonction : Auteur
O. Schneegans
C. Clerc
  • Fonction : Auteur
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https://in2p3.hal.science/in2p3-00013947

Soumis le : jeudi 21 août 2003-11:54:11

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00013947 , version 1 (21-08-2003)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00013947 , version 1

Citer

A. Hattab, F. Dufaye, F. Meyer, Yam Vy, Thanh Vinh Le, et al.. Effect of Ge-dots buried below the interface on the transport properties of Schottky diodes. International Conference on Superlattices Nano-Structures and Nano-Devices ICSNN 2002, Jul 2002, Toulouse, France. pp.648-650. ⟨in2p3-00013947⟩

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