Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 1998
Jocelyne Lorgeril : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://in2p3.hal.science/in2p3-00003088
Soumis le : vendredi 8 octobre 1999-12:01:15
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00003088 , version 1
Citer
J. Mangeney, N. Stelmakh, A. Shen, J.M. Lourtioz, A. Alexandrou, et al.. Sub-picosecond wideband efficient saturable absorber created by high energy (200 MeV) irradiation of Au + ions into bulk GaAs. Electronics Letters, 1998, 34, pp.818-820. ⟨in2p3-00003088⟩
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